Провод МГТФЭ
Конструкция
1. Многопроволочная медная токопроводящая жила номинальным сечением 0,05…0,75 мм2, скрученная из 10…37 проволок номинальным диаметром 0,08…0,18 мм.
2. Изоляция в виде обмотки плёнками из фторопласта-4 суммарной номинальной толщиной 0,16…0,25 мм.
3. Экран в виде оплётки плотностью не менее 70% из медных лужёных проволок номинальным диаметром 0,10 или 0,12 мм.
Технические характеристики
| Номинальное переменное напряжение | 250 В частотой до 5 кГц |
| Номинальное постоянное напряжение | 350 В |
| Испытательное переменное напряжение | 1000 В частотой 50 Гц |
| Время выдержки при испытании | 1 мин |
| Электрическое сопротивление жилы | не более 27,00…398,69 Ом/км |
| Сопротивление изоляции при 20 °С | не менее 100 МОм·км |
| Сопротивление изоляции при 220 °С | не менее 10 МОм·км |
| Строительная длина | не менее 15 м |
| Маломеры в партии | не более 25% кусками от 3 м |
| Минимальный радиус изгиба | 2,5 наружных диаметра |
| Диапазон рабочих температур | −60…+220 °C |
| Срок службы | не менее 20 лет |
Маркоразмеры
- МГТФЭ 0,07
- МГТФЭ 0,1
- МГТФЭ 0,12
- МГТФЭ 0,14
- МГТФЭ 0,2 *
- МГТФЭ 0,35 *
- МГТФЭ 0,5 *
- МГТФЭ 0,75 *
- МГТФЭ 2х0,05 *
- МГТФЭ 2х0,07
- МГТФЭ 2х0,1
- МГТФЭ 2х0,12
- МГТФЭ 2х0,14
- МГТФЭ 2х0,2 *
- МГТФЭ 2х0,35 *
- МГТФЭ 2х0,5 *
- МГТФЭ 2х0,75 *
- МГТФЭ 3х0,07
- МГТФЭ 3х0,1
- МГТФЭ 3х0,12
- МГТФЭ 3х0,14
- МГТФЭ 3х0,2 *
- МГТФЭ 3х0,35 *
- МГТФЭ 4х0,07 *
- МГТФЭ 4х0,1 *
- МГТФЭ 4х0,12 *
- МГТФЭ 4х0,14 *
- МГТФЭ 4х0,2 *
- МГТФЭ 4х0,35 *
* Маркоразмеры не предусмотрены нормативной документацией.